近日，青島信網報道指出，截止到2019年5月，項目管理和技術團隊已籤約報到管理及技術人員330人，其中博士20餘人，碩士60餘人。項目工程8寸廠筏板基礎施工完成90%;12寸廠筏板基礎施工完成93%;測試樓1首層結構完成90%;測試樓2四層結構完成90%;行政中心三層結構完成60%。已訂購87臺二手生產設備，其中60臺已完成翻修。
芯恩(青島)集成電路項目位於青島國際經濟合作區，一、二期總投資約188億元，其中一期總投資約81億元，佔地約373畝，總建築面積約35萬平方米，主要從事12英寸芯片、8英寸芯片、光掩膜版等集成電路產品的量產，滿產後可實現年均產值約46.1億元，淨利潤約9.7億元。
該項目創新性地提出了CIDM商業模式。C代表了Commune或Communal，就是共有式的共享，即由半導體集成電路設計企業、封測企業、原材料供應企業、終端產品需求企業、設備制造企業共同聯合投資打造一個集成電路制造企業，實現產業鏈上下遊多環節、多領域企業協同、一致、聯合生產，企業產品互補、分擔投資、共享資源、共擔分險，大大增強了產業內部協同創新和制造的能力。
在CIDM模式發展過程中，核心團隊將依託其已有的渠道資源和合作關系，逐步引進相關聯上下遊半導體產業公司，逐步打造北方最具規模的半導體產業集羣。
據了解，該項目由張汝京博士領銜的中國頂級微納電子研發制造近50人的核心團隊組成，他們是來自中國大陸、中國臺灣、日本、美國、韓國及歐洲等多個國家和地區的資深專家和各類專業人士，均爲半導體行業的一流技術和管理人才，有着多年先進半導體集成電路及功率器件設計、研發與制造實戰經驗，團隊成員已擁有1000餘項海內外專利，其中包括很多半導體集成電路行業基礎核心專利。
芯恩(青島)集成電路項目於2018年3月30日籤署框架協議;2018年12月13日，籤署投資合作協議;2018年4月18日，項目公司完成注冊，注冊名稱爲芯恩(青島)集成電路有限公司;2018年4月6日完成項目立項備案、4月25日完成首筆資金注入。
項目吸引了芯片設計、材料、設備、封測等產業鏈上下遊企業來周邊落戶，目前與多家半導體公司籤訂戰略合作協議。已與意法半導體公司籤訂技術轉讓協議以及投資協議，上下遊協同發展產業集羣態勢開始形成。
中國臺灣及大陸的芯片設計公司已經籤署持股同意書，成爲芯恩的CIDM合作夥伴。整合設計公司的芯片產品資源以及成功經驗，將爲中國集成電路發展和進步，提供戰略渠道和經濟生命共同體的基石。
目前，芯恩(青島)集成電路項目已確定了特色功率芯片和高端微控制器技術路線。已規劃12英寸廠從40納米邏輯產品入手逐漸推進到28納米的產品線，通過對前段工藝浸潤式光刻工藝，自對準金屬硅化物，嵌入式SiGe源漏區工藝開發;後段工藝超低介電材料(ULK)層間介質層工藝整合，以及28納米的高介電層金屬閘級(HiKMetalGate)，完成器件性能的確認。
項目將開發12英寸40nm-28nm集成電路芯片產品工藝技術，除了意法半導體技術授權40nm的標準邏輯工藝以外，同時開發閃存EmbeddedFlash的尖端工藝，用以生產微處理器MCU芯片。還將開發8英寸180nm-110nm集成電路芯片產品工藝技術，包括數字模擬混合(BCD、DLP)、高端IGBT等半導體功率器件，其中IGBT的逆導型IGBT(Reverse-ConductingIGBT)的高端及超薄(小於50微米的硅片厚度)的工藝技術是中國首創。RC-IGBT是將IGBT單元和FWD(FreeWheelingDiode)單元交替配置而成。
光掩膜版使用國內最先進14納米技術。據了解，芯恩(青島)集成電路項目正在建設特色型工藝的8英寸集成電路生產線一條，國內最先進數模混合工藝的40納米12英寸集成電路生產線一條，國內最先進14納米光掩膜版生產線一條，芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片32位MCU集成電路設計團隊。
青島國際集成電路產業園區則包括青島國際半導體制造基地、青島國際半導體創新中心兩個片區，擬打造集生產、生活、生態於一體的國際高端產城融合芯片園區。其中制造基地包括集成電路制造工廠、光掩模片廠、空白掩模基板廠、半導體設備及修理廠、光刻膠廠、碳化硅/氮化鎵生產廠、封測廠等內容;創新中心包括半導體設計產業園、微納技術研究院、“雙創”基地、國際社區、國際學校等內容。
